سامسونج تكشف عن بطاقات الذاكرة ذات الأداء الفائق

وقال السيد سو ان تشو، رئيس قسم بطاقات الذاكرة في سامسونج :" بعد ما يقارب سنة من بدء التعامل مع بطاقات الذاكرة ذات تقنية 30 نانو متر , تطرح الشركة اليوم الجيل الجديد من ذواكر NAND بتقنية 20 نانو متر و التي تلبي حاجات معظم المستخدمين الذين يبحثون عن الاداء العالي في هذه الذواكر والتي لا تعتبر فقط خطوة إلى الأمام في عملية التصميم، بل أيضا تدمج التكنولوجيا المتقدمة لتمكنها من الأداء المبدع المستمر."

وتتميز الذاكرة بتقنية 20 نانو متر من جيل MLC NAND بقدرتها الإنتاجية التي تصل إلى 50 بالمائة أكثر من ذاكرتها بتقنية 30 نانو متر من جيل MLC NAND. وتتميز الذاكرة بتقنية 20 نانو متر وسعة 8 جيجا ، بسرعة أكثر بـ 30 بالمائة من الذاكرة بتقنية 30 نانو متر، حيث تصل سرعة الكتابة إلى 10 ميجا بايت في الثانية بينما تعطي سرعة قراءة تصل الى 20 ميجا بايت في الثانية.

وبدأت الشركة بإنتاج ذواكر NAND بسعة 32 جيجا بايت بتقنية 30 نانو متر في مارس 2009، وتوصل الآن عينات من بطاقات ذاكرة بتقنية 20 نانو متر وبسعة 32 جيجا بايت الى زبائنها، ومن المتوقع أن تتوفر في الأسواق في وقت لاحق من هذا العام بسعات تمتد بين 4 جيجا بايت الى 64 جيجا بايت.

وستدعم هذه الذواكر من نوع NAND متطلبات بطاقات الذاكرة ذات الأداء الفائق للهواتف الذكية، وتطبيقات تكنولوجيا المعلومات و بطاقات الذاكرة ذات الأداء العالي.